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变频快三APPIGBT的基本工作原理

2019-7-5 12:16:43

变频快三APPIGBT(绝缘栅双极型晶体管)是有BJT(双极结型晶体管)和MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应管)组成的复合全控型电压驱动式半导体器件,它兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两个方面的优点。GTR(电力晶体管,是一种双极型大功率、高反压晶体管,其功率非常大,因此又被称为巨型晶体管,简称GTR)的饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET的驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。而变频快三APP电路采用IGBT综合了以上两种元器件的优点,即驱动功率小而饱和压降低。

IGBT变频快三APP的性能指标

变频快三APPIGBT的开关损耗包括关断损耗和开通损耗。常温下,变频快三APPIGBT的关断损耗和MOSFET差不多。其开通损耗平均比MOSFET略小,且它与温度关系不大,但每增加100℃,其值增加2倍。两种器件的开关损耗和电流相关,电流越大,损耗越大。

变频快三APP采用IGBT的优势

与MOSFET的BJT相比,变频快三APP采用IGBT的主要优势如以下几点:

1)变频快三APPIGBT有一个非常低的通态压降,且由于它具有优异的电导调制能力和较大的通态电流密度,使得更小的芯片尺寸和更低的功耗成为可能。

2)MOS栅结构使得IGBT有较低的驱动电压,且只需要简单的外围驱动电路;与BJT和晶闸管相比较,它能更容易地使用在高电压大电流的电路中。

3)它有比较宽的安全操作区,且具有比双极型晶体管更优良的电流传导能力,也有良好的正向和反向阻断能力。

快三APP技术部编辑        http://www.hispanamic.com

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